关于宽禁带半导体,你了解多少?

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发表于 2021-10-19 11:02:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
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宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比,宽禁带半导体的优点更加的突出。
宽禁带半导体主要具有以下四种优点:

1.宽禁带半导体材料具有较大的禁带宽度以及很高的击穿电场强度,使得宽禁带器件能够承受的峰值电压大幅度提高,器件的输出功率可获得大规模提升;
2.宽禁带材料具有高热导率、高化学稳定性等优点,使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作,可极大提高系统的稳定性与可靠性;
3.宽禁带材料抗辐射能力非常好,在辐射环境下,宽禁带器件对辐射的稳定性比Si器件高10至100倍,因此是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料;
4.宽禁带半导体器件的结温高,故在冷却条件较差、热设计保障较差的环境下也能够稳定工作。

据我所知,这些品牌的产品大多数具有以上优点,比如:AVAGO、 IDT、TI、AD、INTERSIL、REI、QP、Q-TECH、MSC、IR 等。
笔者入行不久,资历很浅,但是有热爱学习的心态,言论有不恰当之处,或者大家有补充的,欢迎评论区留言探讨。

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